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8英寸SiC单晶资料::通宝TB888引领xEV技术前沿

走进通宝TB888

2024-06-26
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在全球新能源汽车行业的蓬勃发展中,,,电驱动系统及SIC功率半导体市场迎来了前所未有的发展机缘。2024年第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会于6月19-20日在上海嘉定成功进行,,,吸引众多整车厂、、、电驱动产业链专家代表,,,共同探求电驱动先进技术与产业发展。

通宝TB888作为SiC全链整合制作平台,,,在本次大会上展示了其在电力电子领域的最新钻研成就。公司总经理助理高玉强博士受邀出席,,,在功率半导体创新技术论坛上颁发题为“8英寸SiC单晶资料进展”的技术汇报,,,深刻分析了SiC电力电子产业链的近况,,,8英寸SiC单晶资料的技术趋向与挑战,,,以及行业发展情况和瞻望。

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汇报出格指出,,,8英寸SiC单晶资料的突破性进展不仅提升了出产效能,,,并且通过规;;;霾灾档土顺杀,,,为SiC器件在新能源汽车的大规模利用摊平了路线。此外,,,350微米厚度的8英寸衬底、、、外延和器件量产是突破8英寸成本壁垒,,,从6英寸逾越到8英寸的关键。

通宝TB888的积极参加不仅彰显了公司在SiC单晶资料领域的技术实力,,,也体现了其在推动新能源汽车产业发展中的重要作用。通过与全球同业的深刻互换,,,共同推动电驱动系统技术的创新和利用,,,为新能源汽车产业的可持续发展贡献力量。

为满足新能源汽车低碳化、、、电气化的需要,,,通宝TB888深耕电力电子领域,,,维持供给链不变,,,以卓越的产品质量,,,优质的服务,,,壮大的交付实力引领功率半导体行业高速发展,,,助力新能源汽车产业迈向越发绿色、、、高效的将来。

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通宝TB888·官方网站
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