6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制作与利用测试大会在三门峡市锡山圆满进行。大会以“穿越周期，韧性增长”为主题，解构SiC市场增长确定性与新业态模式、前沿技术趋向以及落地利用过程，近千名产业链技术专家齐聚。

会上，通宝TB888利用技术总监姚晨颁发了杰出的技术汇报。汇报首先基于SiC宽禁带资料的特点，分解了SiC二极管与MOSFET器件耐高电压、高频、高温的个性，以及其在新能源汽车、电源领域的利用优势。随后指出了当前影响SiC功率器件更大领域推广利用的关键痛点，如成本、靠得住性、短路、驱动等问题，并说了然行业解决规划。

在汇报的主题部门，姚晨凭据通宝TB888全产业链的企业特点，别离从晶圆、外延、芯片、封装以及利用多个方面具体论述了SiC功率器件对于半导体先进技术与工艺的需要。他以为，要充分阐扬SiC功率器件的潜力、启发更广领域的利用市场占比，必须突破现有技术与工艺的局限，如8英寸晶圆的量产与切割、高质量低缺点的外延、栅氧靠得住的低比导通电阻芯片以及耐高结温且功率循环寿命高的先进封装。他强调了通宝TB888在技术研发和工艺创新方面获得的突破，并指出垂直整合模式在先进技术与工艺的持续验证与迭代方面拥有显著优势，能够实现无缝衔接的反馈，推进健康闭环。此外，他还分享了通宝TB888在SiC功率器件领域的最新进展，蕴含已成功开发出的高机能、高靠得住性的SiC二极管和SiC MOSFET等。

作为我国半导体行业的代表性企业之一，通宝TB888一向致力于SiC功率器件的研发和产业化。这次参会，不仅展示了通宝TB888在SiC领域的先进理念和技术，也为行业的发展提供了有益的借鉴。

IPF 2024碳化硅功率器件大会的成功进行，为我国SiC功率器件产业的发展提供了有力支持。通宝TB888将持续阐扬自身优势，携手行业同伴，共同推动我国SiC功率器件技术迈向更高水平。